最前线|全球首款碳化硅超级结功率器件产品在上海发布，突破海外主导现状

瑶芯微电子与中国科学院郝跃院士团队合作，在碳化硅超级结MOSFET技术上取得突破，实现1635V超高耐压和超低导通电阻。该技术不仅提升了器件性能，还推动了新能源汽车、数据中心电源等领域的系统级变革。瑶芯微电子已在国内率先实现8英寸碳化硅MOSFET量产，为国产替代提供了强有力支持。