MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片

MemSilicon成功流片国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片“泰山一号”，标志着高密度、大容量存储技术的重大突破。该芯片采用28nm CMOS工艺，具备30Mb/mm²的密度和小于20ns的访问延时，为高性能SoC和AI应用提供强有力支持。其1T4R结构通过优化设计解决了多单元共享晶体管带来的挑战，实现性能与可靠性的双重提升。