长鑫搅局，全球芯片巨头大跌

长鑫科技宣布4F² DRAM架构取得关键进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。通过自研VSG垂直包围沟道晶体管技术，长鑫打破了6F²的行业标准，实现了更高的晶体管密度。此举不仅挑战了三星、SK海力士和美光的技术主导地位，还加速了其市场份额的增长，从2025年Q2的4%升至2026年Q2的10%。存储芯片正逐渐成为AI基础设施的核心资源，市场格局面临重塑。